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Alunos do Cefet/RJ participam de modelo das Nações Unidas em Harvard

Publicado: Segunda, 17 de Fevereiro de 2020, 14h38 | Última atualização em Segunda, 17 de Fevereiro de 2020, 14h57 | Acessos: 978

Uma viagem enriquecedora. Essas foram as palavras de José Araújo, estudante do Cefet/RJ, sobre a participação no Harvard Model United Nation (HMUN). O evento, realizado na Universidade de Harvard (EUA), é um modelo de simulação nos moldes das Nações Unidas que reuniu 4 mil estudantes, de 57 países, para debater os maiores desafios globais da atualidade. Estudante do 4º ano do médio/técnico em Edificações, José foi um dos 12 alunos aprovados para representar o Cefet/RJ no HMUN, realizado entre os dias 30 de janeiro e 2 de fevereiro.

“A conferência foi um pouco diferente das que estávamos acostumados a participar, mas o grupo se adaptou rapidamente. Fiquei bem satisfeito por aprender coisas novas e estar presente em atividades que proporcionam um grande intercâmbio cultural”, disse o estudante. Durante o HMUM, o grupo do Cefet/RJ participou da simulação de conferências diplomáticas de comitês importantes como Banco Mundial, Programa das Nações Unidas para o Meio Ambiente e do Comitê de Segurança Nacional e do Desarmamento.

De acordo com a professora Regina Peres, responsável pela equipe do Cefet/RJ durante a viagem, os estudantes tiveram uma enorme experiência, tanto acadêmica quanto pessoal: “os nossos alunos ouviram diferentes posicionamentos sobre os temas debatidos e tiveram a oportunidade de construir argumentos para defender o seu ponto de vista. Além disso, fizeram amizade com estudantes que vivem realidades completamente diferentes do Brasil e ampliaram imensamente a visão de mundo”, explicou a professora.

Ainda de acordo com a professora Regina Peres, o objetivo é que os alunos que participaram do HMUN repassem as observações e impressões sobre a dinâmica do modelo de simulação aplicado em Harvard para os alunos do atual secretariado do MODOW, e enriqueçam o modelo diplomático interno desenvolvido pelo Cefet/RJ.

  

 

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